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DMN62D0LFB-7
MOSFET, CANAL N, 60V, 0.32A, X1-DFN1006
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FabricanteDIODES INC.
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No. Parte Newark28AK8633
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 5+ | $0.494 |
| 10+ | $0.305 |
| 25+ | $0.268 |
| 50+ | $0.231 |
| 100+ | $0.194 |
| 250+ | $0.169 |
| 500+ | $0.144 |
| 1000+ | $0.129 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 5
Múltiple: 5
$2.47
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMN62D0LFB-7Copiar
No. Parte Newark28AK8633
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id320mA
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1.3ohm
Diseño de TransistorX1-DFN1006
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia500mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
X1-DFN1006
Voltaje de Prueba Rds(on)
4V
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
320mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1.3ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1V
Disipación de Potencia
500mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto