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DMN3065LW-7
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 4 A, 0.052 ohm, SOT-323, Montaje Superficial
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FabricanteDIODES INC.
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No. Parte Newark07AH3768
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.528 |
| 10+ | $0.335 |
| 25+ | $0.298 |
| 50+ | $0.260 |
| 100+ | $0.223 |
| 250+ | $0.199 |
| 500+ | $0.174 |
| 1000+ | $0.158 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMN3065LW-7Copiar
No. Parte Newark07AH3768
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id4
Resistencia de Activación Rds(on)0.052ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.052
Diseño de TransistorSOT-323
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd770mW
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.5
Disipación de Potencia770
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia de Activación Rds(on)
0.052ohm
Diseño de Transistor
SOT-323
Disipación de Potencia Pd
770mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.5
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
4
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.052
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
770
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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