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DMN2004K-7
MOSFET de Potencia, Canal N, 20 V, 540 mA, 0.55 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMN2004K-7
No. Parte Newark25R4519
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMN2004K-7
No. Parte Newark25R4519
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Intensidad Drenador Continua Id630mA
Resistencia de Activación Rds(on)0.55ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.55ohm
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd350mW
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.6V
Disipación de Potencia350mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
El DMN2004K-7 es un MOSFET de modo de mejora de canal N con caja de plástico moldeada y estaño mate soldable recocido sobre terminales de aleación de 42 terminales cable según el estándar MIL-STD-202. Ha sido diseñado para minimizar la resistencia en estado ON RDS (ON) y, sin embargo, mantener un rendimiento de conmutación superior, lo que lo hace ideal para aplicaciones de administración de energía de alta eficiencia.
- Baja resistencia de ENCENDIDO
- Voltaje de umbral de compuerta bajo
- Baja capacitancia de entrada
- Alta velocidad de conmutación
- Fuga baja de entrada/salida
- Protección ESD hasta 2KV
- Producto verde, libre de halógenos
- Calificado según los estándares AEC-Q101 por su alta confiabilidad
- Sensibilidad a la humedad nivel 1 según J-STD-020
- Clasificación de Inflamabilidad UL94V-0
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.55ohm
Diseño de Transistor
SOT-23
Disipación de Potencia Pd
350mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.6V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
630mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.55ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Disipación de Potencia
350mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Alternativas para el número de pieza DMN2004K-7
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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Certificado de conformidad del producto
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