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DMHC3025LSD-13
MOSFET, AEC-Q101, CANAL N Y P DOBLE, 30V
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FabricanteDIODES INC.
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Tiempo de entrega estándar del fabricante42 semanas
No. Parte Newark86AK4749
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 2500+ | $0.386 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Rollo Completo)
Mínimo: 2500
Múltiple: 2500
$965.00
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
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Tiempo de entrega estándar del fabricante42 semanas
No. Parte Newark86AK4749
Tipo de CanalComplementary N and P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N6A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P6A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.019ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.019ohm
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N1.5W
Disipación de Potencia de Canal P1.5W
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Complementary N and P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
6A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.019ohm
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
1.5W
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
6A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.019ohm
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
1.5W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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