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DMG6968U-7
MOSFET de Potencia, Canal N, 20 V, 6.5 A, 0.025 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 16 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.490 |
| 10+ | $0.287 |
| 25+ | $0.249 |
| 50+ | $0.210 |
| 100+ | $0.172 |
| 250+ | $0.169 |
| 500+ | $0.166 |
| 1000+ | $0.165 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 5
Múltiple: 5
$2.45
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMG6968U-7
No. Parte Newark12T2027
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20
Intensidad Drenador Continua Id6.5
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.025
Resistencia de Activación Rds(on)0.021ohm
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Disipación de Potencia Pd810mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente500
Disipación de Potencia810
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
El DMG6968U-7 es un MOSFET de modo de mejora de canal N con caja de plástico moldeado y estaño mate soldable recocido sobre terminales de cobre con marco de plomo según el estándar MIL-STD-202.
- Baja resistencia de ENCENDIDO
- Baja capacitancia de entrada
- Alta velocidad de conmutación
- Fuga baja de entrada/salida
- Protección ESD hasta 2KV
- Producto verde, libre de halógenos
- Sensibilidad a la humedad nivel 1 según J-STD-020
- Grado de inflamabilidad UL94V-0
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.025
Diseño de Transistor
SOT-23
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
500
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
6.5
Resistencia de Activación Rds(on)
0.021ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
810mW
Disipación de Potencia
810
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza DMG6968U-7
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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