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DMG6601LVT-7
MOSFET Dual, Canal complementario N y P, 30 V, 30 V, 3.8 A, 3.8 A, 0.055 ohm
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMG6601LVT-7
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)82Y6568
Cinta adhesiva82Y6568
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Hoja de datos técnicos
11,001 En Inventario
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Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.451 |
| 10+ | $0.288 |
| 25+ | $0.256 |
| 50+ | $0.224 |
| 100+ | $0.192 |
| 250+ | $0.172 |
| 500+ | $0.151 |
| 1000+ | $0.138 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMG6601LVT-7
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)82Y6568
Cinta adhesiva82Y6568
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalComplementary N and P Channel
Intensidad Drenador Continua Id0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P30
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N3.8
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P3.8
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.055
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.034
Diseño de TransistorTSOT-26
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N850
Disipación de Potencia de Canal P850
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
This MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.
- Complementary MOSFET
- Low On-Resistance
- Low Input Capacitance
- Fast Switching Speed
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Complementary N and P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
30
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
3.8
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.034
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
850
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Intensidad Drenador Continua Id
0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
30
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
3.8
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.055
Diseño de Transistor
TSOT-26
Disipación de Potencia de Canal N
850
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para el número de pieza DMG6601LVT-7
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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