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DMG4496SSS-13
MOSFET, N-CH, 30V, 10A, SOIC ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMG4496SSS-13
No. Parte Newark28AK8414
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.476 |
| 10+ | $0.376 |
| 25+ | $0.328 |
| 50+ | $0.279 |
| 100+ | $0.231 |
| 250+ | $0.226 |
| 500+ | $0.220 |
| 1000+ | $0.193 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMG4496SSS-13
No. Parte Newark28AK8414
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id10A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.016ohm
Diseño de TransistorSOIC
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.2V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia1.42W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
SOIC
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
10A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.016ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.2V
Disipación de Potencia
1.42W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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Certificado de conformidad del producto
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