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DMG2307L
MOSFET de Potencia, Modo Mejorado, Canal P, 30 V, 4.6 A, 0.09 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMG2307L
No. Parte Newark65T8209
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Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.412 |
| 10+ | $0.321 |
| 25+ | $0.225 |
| 50+ | $0.190 |
| 100+ | $0.162 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMG2307L
No. Parte Newark65T8209
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id4.6
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.09
Resistencia de Activación Rds(on)0.07ohm
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd760mW
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1
Disipación de Potencia760
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El DMG2307L es un MOSFET de modo de mejora de canal P con caja de plástico moldeado y estaño mate soldable recocido sobre terminales de cobre con marco de plomo según el estándar MIL-STD-202. Está diseñado para minimizar la resistencia de estado RDS (ON) y mantener un rendimiento de conmutación superior, lo que lo hace ideal para aplicaciones de administración de energía de alta eficiencia.
- Baja resistencia de ENCENDIDO
- Baja capacitancia de entrada
- Alta velocidad de conmutación
- Producto verde, libre de halógenos
- Sensibilidad a la humedad nivel 1 según J-STD-020
- Clasificación de Inflamabilidad UL94V-0
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
4.6
Resistencia de Activación Rds(on)
0.07ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
760
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.09
Diseño de Transistor
SOT-23
Disipación de Potencia Pd
760mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Alternativas para el número de pieza DMG2307L
1 producto (s) encontrado (s)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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