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DMG1012UW
MOSFET de Potencia, Modo Mejorado, Canal N, 20 V, 1 A, 0.45 ohm, SOT-323, Montaje Superficial
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMG1012UWCopiar
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)65T8207
Cinta adhesiva65T8207
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $0.281 | $1.41 |
| Total Precio | $1.41 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 5+ | $0.281 |
| 10+ | $0.218 |
| 25+ | $0.153 |
| 50+ | $0.129 |
| 100+ | $0.110 |
| 250+ | $0.090 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMG1012UWCopiar
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)65T8207
Cinta adhesiva65T8207
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20
Intensidad Drenador Continua Id1
Resistencia de Activación Rds(on)0.3ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.45
Diseño de TransistorSOT-323
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Disipación de Potencia Pd290mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente500
Disipación de Potencia290
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El DMG1012UW es un MOSFET de modo de mejora de canal N con caja de plástico moldeada y estaño mate soldable recocido sobre terminales de aleación de 42 terminales cable según el estándar MIL-STD-202.
- Baja resistencia de ENCENDIDO
- Voltaje de umbral de compuerta bajo
- Baja capacitancia de entrada
- Alta velocidad de conmutación
- Fuga baja de entrada/salida
- Protección ESD hasta 2KV
- Producto verde, libre de halógenos
- Calificado según los estándares AEC-Q101 por su alta confiabilidad
- Sensibilidad a la humedad nivel 1 según J-STD-020
- Grado de inflamabilidad UL94V-0
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
1
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.45
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
290mW
Disipación de Potencia
290
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20
Resistencia de Activación Rds(on)
0.3ohm
Diseño de Transistor
SOT-323
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
500
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza DMG1012UW
1 producto (s) encontrado (s)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto