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DDTD142JU-7-F
TRANSISTOR RF, 50V, 0.5A, SOT-323
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDDTD142JU-7-FCopiar
No. Parte Newark28AK8095
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 5+ | $0.319 |
| 10+ | $0.198 |
| 25+ | $0.173 |
| 50+ | $0.147 |
| 100+ | $0.123 |
| 250+ | $0.107 |
| 500+ | $0.091 |
| 1000+ | $0.080 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDDTD142JU-7-FCopiar
No. Parte Newark28AK8095
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadSingle NPN
Voltaje Máx. NPN de Colector a Emisor50V
Voltaje Máx. PNP de Colector a Emisor-
Corriente del Colector Continua500mA
Resitencia Básica de Entrada R1470ohm
Resistencia R2 Base Emisor10kohm
Diseño de TransistorSOT-323
No. de Pines3 Pin
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia200mW
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.56hFE
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Single NPN
Voltaje Máx. PNP de Colector a Emisor
-
Resitencia Básica de Entrada R1
470ohm
Diseño de Transistor
SOT-323
Montaje de Transistor
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje Máx. NPN de Colector a Emisor
50V
Corriente del Colector Continua
500mA
Resistencia R2 Base Emisor
10kohm
No. de Pines
3 Pin
Disipación de Potencia
200mW
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
56hFE
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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