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DCX115EU-7-F
TRANSISTOR RF, 50V, 0.1A, SOT-363
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDCX115EU-7-FCopiar
No. Parte Newark28AK8009
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 5+ | $0.474 |
| 10+ | $0.301 |
| 25+ | $0.263 |
| 50+ | $0.224 |
| 100+ | $0.184 |
| 250+ | $0.144 |
| 500+ | $0.110 |
| 1000+ | $0.101 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 5
Múltiple: 5
$2.37
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDCX115EU-7-FCopiar
No. Parte Newark28AK8009
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN and PNP Complement
Voltaje Máx. NPN de Colector a Emisor50V
Voltaje Máx. PNP de Colector a Emisor50V
Corriente del Colector Continua100mA
Resitencia Básica de Entrada R1100kohm
Resistencia R2 Base Emisor100kohm
Diseño de TransistorSOT-363
No. de Pines6 Pin
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia200mW
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.82hFE
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN and PNP Complement
Voltaje Máx. PNP de Colector a Emisor
50V
Resitencia Básica de Entrada R1
100kohm
Diseño de Transistor
SOT-363
Montaje de Transistor
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje Máx. NPN de Colector a Emisor
50V
Corriente del Colector Continua
100mA
Resistencia R2 Base Emisor
100kohm
No. de Pines
6 Pin
Disipación de Potencia
200mW
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
82hFE
Calificación
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto