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BS107P
MOSFET, N-CH, 200V, 0.12A, 150DEGC, 0.5W ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteBS107P
No. Parte Newark23AJ5964
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Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.929 |
| 10+ | $0.732 |
| 25+ | $0.673 |
| 50+ | $0.615 |
| 100+ | $0.556 |
| 250+ | $0.510 |
| 500+ | $0.489 |
| 1000+ | $0.474 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteBS107P
No. Parte Newark23AJ5964
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds200V
Intensidad Drenador Continua Id120mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente30ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorE-Line
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Disipación de Potencia500mW
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
200V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
30ohm
Diseño de Transistor
E-Line
Voltaje de Prueba Rds(on)
5V
Disipación de Potencia
500mW
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
120mA
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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