S25FL512SAGMFI011

S25FL512SAGMFI011 es una memoria flash FL-S SPI multi-E/S, 3.0V y 512Mb. Este dispositivo se conecta a un sistema host a través de un SPI. Se admite la entrada y salida serial SPI tradicional de un solo bit, así como comandos seriales opcionales de dos y cuatro bits. Esta interfaz de ancho múltiple se llama SPI multi-I/O o MIO. Se admite la entrada y salida serial SPI tradicional de un solo bit, así como comandos seriales opcionales de dos y cuatro bits. La arquitectura eclipse presenta un búfer de programación de páginas que permite programar hasta 256 palabras (512 bytes) en una sola operación, lo que resulta en una programación y borrado efectivo más rápido que el programa SPI de la generación anterior o algoritmos de borrado. El código de ejecución directamente desde la memoria flash a menudo se llama Execute-In-Place o XIP.

• Densidad de 512Mb, tecnología de proceso MIRRORBIT™ de 65nm, velocidad de 133MHz
• Tecnología MIRRORBIT™: que almacena dos bits de datos en cada transistor de matriz de memoria
• Arquitectura Eclipse: mejora drásticamente el rendimiento de los programas y el borrado
• Polaridad del reloj SPI y modos de fase 0 y 3, rango de voltaje de suministro del núcleo de 2.7V a 3.6V
• Normal, rápido, dual, cuádruple, DDR rápido, DDR dual, DDR cuádruple
• Datos de interfaz flash común (CFI) para información de configuración
• Programación de página de entrada cuádruple (APP) para sistemas de reloj lento
• Generación automática de código de corrección de errores de hardware interno ECC con corrección de errores de un solo bit
• 100,000 ciclos de borrado de programas, mínimo retención de datos de 20 años, mínimo
• Paquete SO de 16 pines, rango de temperatura industrial de -40 °C a + 85 °C