CY7C1049G30-10VXI

CY7C1049G30-10VXI es un dispositivo de RAM estático rápido CMOS de 4Mbit (512k palabras × 8 bits) de alto rendimiento con ECC integrado. Las escrituras de datos se realizan afirmando las entradas de habilitación de chip (CE activo bajo) y habilitación de escritura (WE activo bajo) en BAJA, mientras se proporcionan los datos en I/O0 a I/O7 y la dirección en los pines A0 a A18. La lectura de datos se realiza afirmando las entradas de habilitación de chip (CE) y habilitación de salida (OE baja activa) en BAJA y proporcionando la dirección requerida en las líneas de dirección. Los datos de lectura son accesibles en las líneas de E/S (E/S0 a E/S7). La aplicación incluye interfaz hombre-máquina.

• Sin salida ERR
• Rango de voltaje de 2.2V a 3.6V, velocidad de 10ns, tecnología de proceso de 65nm
• Rango de funcionamiento ICC desde 38mA típico (f=fmáx., TA=25 °C, VCC=3V)
• Corriente de apagado automático CE: las entradas CMOS son de 6mA típicas (VCC máx., 0.2V)
• Retención de datos de 1.0V, entradas y salidas compatibles con TTL
• Pin de indicación de error (ERR) para indicar la detección y corrección de errores de 1 bit
• La capacitancia de entrada es 10pF (TA = 25 °C, f = 1 MHz, VCC = VCC(típ))
• La capacitancia de E/S es de 10pF (TA=25 °C, f=1MHz, VCC=VCC(típico)
• El VCC para retención de datos es de 1V mín. (-40 °C a 85 °C)
• Paquete SOJ moldeado de 36 pines, rango de temperatura industrial de -40 °C a +85 °C