CY62128EV30LL-45ZXI

CY62128EV30LL-45ZXI es un módulo de RAM estático CMOS de alto rendimiento organizado como 128K palabras de 8 bits. Este dispositivo presenta un diseño de circuito avanzado para proporcionar una corriente activa ultrabaja. Esto es ideal para proporcionar MoBL® en aplicaciones portátiles. También tiene una función de apagado automático que reduce significativamente el consumo de energía cuando las direcciones no están cambiando. Colocar el dispositivo en modo de espera reduce el consumo de energía en más del 99% cuando no está seleccionado. Los ocho pines de entrada y salida se colocan en un estado de alta impedancia cuando el dispositivo está deseleccionado, las salidas están deshabilitadas o hay una operación de escritura en progreso. Para escribir en el dispositivo, coloque las entradas de habilitación de chip y habilitación de escritura en BAJAS. Luego, los datos de los ocho pines de E/S se escriben en la ubicación especificada en el pin de dirección. Para leer desde el dispositivo, tome la habilitación del chip y la habilitación de salida BAJO mientras fuerza la habilitación de escritura ALTA. En estas condiciones, el contenido de la ubicación de memoria especificada por los pines de dirección aparece en los pines de E/S.

• Muy alta velocidad: 45ns
• Amplio rango de voltaje de 2.2V a 3.6V
• Pin Compatible con CY62128DV30
• Consumo de corriente en modo de espera ultrabaja: 1µA (típico)
• Potencia activa ultrabaja con corriente activa típica: 1.3mA a f = 1MHz
• Fácil expansión de memoria con funciones CE1, CE2 y OE de nivel activo bajo
• Apagado automático cuando no está seleccionado
• Semiconductor de óxido metálico complementario (CMOS) para una velocidad y potencia óptimas
• Tecnología de proceso de 90nm
• Rango de temperatura de -40 °C a 85°C