CY7C1019DV33-10VXI..

La CY7C1019DV33-10VXI es una memoria de acceso aleatorio estática (SRAM) CMOS de alto rendimiento de 1MB organizada en 131072 palabras de 8 bits. La fácil expansión de la memoria se proporciona mediante una habilitación de chip BAJA activa (CE), habilitaciones de salida BAJA activas (OE) y controladores de 3 estados. Este dispositivo tiene una función de apagado automático que reduce significativamente el consumo de energía cuando no está seleccionada. La escritura en el dispositivo se logra colocando las entradas de habilitación de chip (CE) y habilitación de escritura (WE) en BAJAS. Luego, los datos de los ocho pines de E/S se escriben en la ubicación especificada en los pines de dirección. La lectura desde el dispositivo se logra tomando la habilitación del chip y la habilitación de salida en BAJO mientras se fuerza la habilitación de escritura en ALTO. En estas condiciones, el contenido de la ubicación de memoria especificada por los pines de dirección aparecerá en los pines de E/S. Los ocho pines de entrada/salida se colocan en un estado de alta impedancia cuando el dispositivo está deseleccionado, las salidas están deshabilitadas o durante una operación de escritura.

• Pin y función compatibles con CY7C1019CV33
• Alta velocidad- 10ns
• Baja velocidad activa
• Bajo consumo de energía en modo de espera de CMOS
• Retención de datos 2V
• Apagado automático cuando no está seleccionado
• CMOS para una velocidad/potencia óptimas
• Distribución de pines de alimentación/tierra central
• Fácil expansión de memoria con CE y OE