CY62128ELL-45ZXI

La CY62128ELL-45ZXI es una memoria de acceso aleatorio estática (SRAM) CMOS de alto rendimiento de 1 MB organizada en 128 K palabras de 8 bits. Este dispositivo presenta un diseño de circuito avanzado para proporcionar una corriente activa ultrabaja. Esto es ideal para proporcionar más vida útil de la batería (MoBL®) en aplicaciones portátiles. El dispositivo también tiene una función de apagado automático que reduce significativamente el consumo de energía cuando las direcciones no están cambiando. Colocar el dispositivo en modo de espera reduce el consumo de energía en más del 99% cuando no está seleccionado. Los ocho pines de entrada y salida se colocan en un estado de alta impedancia cuando el dispositivo está deseleccionado, las salidas están deshabilitadas o hay una operación de escritura en progreso. Para escribir en el dispositivo, coloque las entradas de habilitación de chip y habilitación de escritura en BAJAS. Para leer desde el dispositivo, tome la habilitación del chip y la habilitación de salida BAJO mientras fuerza la habilitación de escritura ALTA. En estas condiciones, el contenido de la ubicación de memoria especificada por los pines de dirección aparece en los pines de E/S.

• Muy alta velocidad - 45ns
• Pin Compatible con CY62128B
• Consumo de energía ultrabaja en modo de espera
• Potencia activa ultrabaja
• Fácil expansión de memoria con CE1, CE2 y OE
• Apagado automático cuando no está seleccionado
• CMOS para una velocidad/potencia óptimas