HMC637ALP5E

El HMC637ALP5E es un amplificador de potencia distribuido de arseniuro de galio (GaAs), circuito integrado monolítico de microondas (MMIC) y transistor pseudomórfico de alta movilidad de electrones (pHEMT) que opera entre 0.1GHz y 6GHz. Esto hace que el HMC637ALP5E sea ideal para aplicaciones de guerra electrónica (EW), contramedidas electrónicas (ECM), radar y equipos de prueba. La aplicación incluye infraestructura de telecomunicaciones, radio de microondas, terminal de muy pequeña apertura (VSAT), militar y espacial, instrumentación de prueba y fibra óptica.

• La potencia de salida para una compresión de 1dB es de 29dBm (típico, TA = 25 °C, (VDD) = 12V, IDD = 400mA)
• Rango de frecuencia de 0.1 a 6GHz (TA = 25 °C, (VDD) = 12 V, IDD = 400 mA)
• La planicidad de ganancia es de 13dB (típico, TA = 25 °C, (VDD) = 12 V, IDD = 400mA)
• La variación de ganancia con respecto a la temperatura es de 0.015 dB/°C (típico, TA = 25 °C, (VDD) = 12V, IDD = 400mA)
• La pérdida de retorno de entrada es de 12dB (típico, TA = 25 °C, (VDD) = 12V, IDD = 400mA)
• La pérdida de retorno de salida es de 15dB (típico, T = 25 °C, (VDD) = 12 V, IDD = 400mA)
• La potencia de salida para una compresión de 1dB es de 29dBm (típico, TA = 25 °C, (VDD) = 12V, IDD = 400mA)
• La potencia de salida saturada es de 31dBm (tipo, T = 25 °C, (VDD) = 12 V, IDD = 400 mA)
• La cifra de ruido es de 5dB (típica, 2.0GHz a 6.0GHz, TA = 25 °C)
• Paquete LFCSP de 32 terminales, rango de temperatura de funcionamiento de -40°C a +85°C

Notas

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