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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMMBT5551LT1G.
No. Parte Newark26AC2261
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo160V
Voltaje Máx. Colector a Emisor160
Corriente del Colector Continua60
Disipación de Potencia Pd225mW
Disipación de Potencia225
Corriente de Colector DC60mA
Diseño de TransistorSOT-23
Ganancia de Corriente DC hFE250hFE
Montaje de TransistorMontaje Superficial
No. de Pines3Pines
Frecuencia de Transición-
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.250
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación AutomotrizAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El MMBT5551LT1G es un transistor de alto voltaje de silicio NPN diseñado para requerir requisitos únicos de cambio de sitio y control. Este transistor es compatible con PPAP y AEC-Q101 calificado.
- Libre de halógenos
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor
160
Disipación de Potencia Pd
225mW
Corriente de Colector DC
60mA
Ganancia de Corriente DC hFE
250hFE
No. de Pines
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
250
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
160V
Corriente del Colector Continua
60
Disipación de Potencia
225
Diseño de Transistor
SOT-23
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Frecuencia de Transición
-
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
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