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LP0701N3-G
MOSFET, P-CH, -0.5A, -16.5V, TO-92-3
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FabricanteMICROCHIP
No. Parte FabricanteLP0701N3-GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante52 semanas
No. Parte Newark55AC2375
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Información del producto
FabricanteMICROCHIP
No. Parte FabricanteLP0701N3-GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante52 semanas
No. Parte Newark55AC2375
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds16.5V
Intensidad Drenador Continua Id500mA
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1.5ohm
Diseño de TransistorTO-92
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente700mV
Disipación de Potencia1W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
16.5V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-92
Voltaje de Prueba Rds(on)
5V
Disipación de Potencia
1W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
500mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1.5ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
700mV
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Alternativas para el número de pieza LP0701N3-G
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
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