Imprimir página
FDC2612
MOSFET de Potencia, Canal N, 200 V, 1.1 A, 0.605 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDC2612Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante20 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)31Y1343RL
Cinta adhesiva31Y1343
Su número de pieza
3,195 En Inventario
¿Necesita más?
Entrega en 4-6 días hábiles(UK inventario)
Haga el pedido antes de las 8 p.m. EST para un envío normal
Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.240 | $1.24 |
| Total Precio | $1.24 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.240 |
| 50+ | $0.778 |
| 100+ | $0.512 |
| 250+ | $0.455 |
| 500+ | $0.397 |
| 1000+ | $0.360 |
| 2500+ | $0.353 |
| 5000+ | $0.346 |
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDC2612Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante20 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)31Y1343RL
Cinta adhesiva31Y1343
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds200
Intensidad Drenador Continua Id1.1
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.605
Resistencia de Activación Rds(on)0.605ohm
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd1.6W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia1.6
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El FDC2612 es un MOSFET de canal N producido mediante el proceso PowerTrench®. Está diseñado específicamente para mejorar la eficiencia general de los convertidores CD a CD utilizando controladores PWM de conmutación sincrónicos o convencionales. Se ha optimizado para carga de puerta baja, RDS bajo (ON) y velocidad de conmutación rápida.
- Tecnología de zanja de alto rendimiento para RDS extremadamente bajo (ON)
- Alta potencia y capacidad de manejo de corriente.
- Alta velocidad de conmutación
- Carga de puerta baja típica de 8nC
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
200
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.605
Diseño de Transistor
SOT-23
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
6Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
1.1
Resistencia de Activación Rds(on)
0.605ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
1.6W
Disipación de Potencia
1.6
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto