MOSFETs Sencillos :
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Resistencia de Activación Rds(on)
=0.195ohm
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| Comparar | No. De parte del fabricante | Código de Orden | Fabricante / Descripción | Disponibilidad | Precio para | Precio | Quantity | Tipo de Canal | Transistor, Polaridad | Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | Intensidad Drenador Continua Id | Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente | Resistencia de Activación Rds(on) | Diseño de Transistor | Montaje de Transistor | Voltaje de Prueba Rds(on) | Disipación de Potencia Pd | Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente | Disipación de Potencia | No. de Pines | Temperatura de Trabajo Máx. | Rango de Producto |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Cada (Empaquetado en Cinta Cortada) Cinta adhesiva | 1+$2.450 50+$1.340 100+$1.230 250+$1.140 500+$1.040 Más precios… | N Channel | Canal N | 250 | 14 | 0.235 | 0.195ohm | TO-252 (DPAK) | Surface Mount | 10 | 85W | 3 | 85 | 3Pines | 150 | STripFET II | ||||||
06J7747 RoHS | Cada (Empaquetado en Cinta Cortada) Cinta adhesiva | 2500+$1.190 | Canal N | Canal N | 200 | 1.7 | 0.24 | 0.195ohm | SOIC | Montaje Superficial | 10 | 2.5W | 2 | 2.5 | 8Pines | 150 | - | |||||

