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FDN336P
MOSFET de Potencia, Canal P, 20 V, 1.2 A, 0.2 ohm, SuperSOT, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDN336PCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante20 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo23K1650
Cinta adhesiva58K1463
Su número de pieza
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 13 semanas
Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 3000 | $0.238 | $714.00 |
| Total Precio | $714.00 | ||
Cinta adhesiva
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.238 |
| 6000+ | $0.233 |
| 9000+ | $0.228 |
| 15000+ | $0.224 |
| 30000+ | $0.219 |
| 75000+ | $0.214 |
| 150000+ | $0.209 |
| 300000+ | $0.205 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.182 |
| 6000+ | $0.178 |
| 9000+ | $0.175 |
| 15000+ | $0.171 |
| 30000+ | $0.167 |
| 75000+ | $0.164 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDN336PCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante20 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo23K1650
Cinta adhesiva58K1463
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20
Intensidad Drenador Continua Id1.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.2
Resistencia de Activación Rds(on)0.122ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd500mW
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente900
Diseño de TransistorSuperSOT
Disipación de Potencia500
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El FDN336P es un MOSFET de canal P especificado de 2.5V producido mediante el proceso avanzado PowerTrench®. Se ha diseñado especialmente para minimizar la resistencia en estado ENCENDIDO y, a la vez, mantener una carga baja en la puerta para un rendimiento de conmutación superior. Es muy adecuado para conmutación de carga, circuitos de carga de batería y conversión de CD a CD. El SuperSOT ™ -3 proporciona un bajo RDS (ON) y una capacidad de manejo de potencia 30% mayor que SOT23 en el mismo espacio.
- Tecnología de zanja de alto rendimiento para RDS extremadamente bajo (ON)
- Carga de puerta baja típica de 3.6nC
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.2
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5
Diseño de Transistor
SuperSOT
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
1.2
Resistencia de Activación Rds(on)
0.122ohm
Disipación de Potencia Pd
500mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
900
Disipación de Potencia
500
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza FDN336P
1 producto (s) encontrado (s)
Productos relacionados
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto