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SPD30P06PGBTMA1
MOSFET de Potencia, Canal P, 60 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteSPD30P06PGBTMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante18 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6354
Re-reeling (Rollos a medida)50Y7849RL
Cinta adhesiva50Y7849
También conocido comoSPD30P06P G, SP000441776
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3,096 En Inventario
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $2.390 | $2.39 |
| Total Precio | $2.39 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.390 |
| 50+ | $1.540 |
| 100+ | $1.050 |
| 250+ | $0.946 |
| 500+ | $0.841 |
| 1000+ | $0.833 |
| 2500+ | $0.816 |
| 5000+ | $0.800 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 2500+ | $0.878 |
| 7500+ | $0.860 |
| 12500+ | $0.843 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteSPD30P06PGBTMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante18 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6354
Re-reeling (Rollos a medida)50Y7849RL
Cinta adhesiva50Y7849
También conocido comoSPD30P06P G, SP000441776
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id30A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.075ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.069ohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd125W
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Disipación de Potencia125W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación AutomotrizAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
The SPD30P06P G is an OptiMOS™ P-channel Power MOSFET consistently meets the highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as ON-state resistance and figure of merit characteristics.
- Enhancement-mode
- Avalanche rated
- Small signal packages approved to AEC-Q101
- dV/dt Rated
- AEC-Q101 Qualified
- Green device
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.075ohm
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Disipación de Potencia Pd
125W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
30A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.069ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
125W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
