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PSMN2R8-25MLC,115
MOSFET, N-CH, 25V, 70 A, LFPAK33
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FabricanteNEXPERIA
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No. Parte Newark05W5719
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Plazo de entrega estándar del fabricante: 15 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.380 |
| 10+ | $1.680 |
| 100+ | $1.110 |
| 500+ | $0.872 |
| 1000+ | $0.746 |
| 2500+ | $0.675 |
| 10000+ | $0.578 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$2.38
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePSMN2R8-25MLC,115Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante15 semanas
No. Parte Newark05W5719
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds25V
Intensidad Drenador Continua Id70A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente2450µohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.00245ohm
Diseño de TransistorSC-100
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd88W
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.74V
Disipación de Potencia88W
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El PSMN2R8-25MLC es un MOSFET de nivel lógico de modo de mejora de canal N optimizado para un controlador de compuerta de 4.5V que utiliza la tecnología NextPower Superjunction. Está diseñado y calificado para su uso en una amplia gama de aplicaciones de conmutación de carga, regulador de inversión síncrono, convertidor de CD a CD y equipos domésticos.
- Baja inductancia parasitaria y resistencia
- Ultra bajo QG, QGD y QOSS para altas eficiencias del sistema con cargas bajas y altas
- Rango de temperatura de unión entre -55 y 175°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
70A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.00245ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
88W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
25V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
2450µohm
Diseño de Transistor
SC-100
Disipación de Potencia Pd
88W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.74V
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza PSMN2R8-25MLC,115
1 producto (s) encontrado (s)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidad del producto