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IRLML2803TRPBF.
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 850 mA, 0.3 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRLML2803TRPBF.Copiar
No. Parte Newark26AC0679
También conocido comoSP001572964
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
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| 9000+ | $0.107 |
| 15000+ | $0.088 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Rollo Completo)
Mínimo: 3000
Múltiple: 3000
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRLML2803TRPBF.Copiar
No. Parte Newark26AC0679
También conocido comoSP001572964
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id850
Resistencia de Activación Rds(on)0.3ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.3
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd400mW
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Diseño de TransistorSOT-23
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1
Disipación de Potencia400
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2018)
Resumen del producto
The IRLML2803PBF is a N-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance. Fifth generation HEXFETs utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET® Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
- Low profile (<lt/>1.1mm)
- Ultra low on-resistance
- ±20V gate-source voltage
- Halogen-free
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia de Activación Rds(on)
0.3ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
850
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.3
Disipación de Potencia Pd
400mW
Diseño de Transistor
SOT-23
Disipación de Potencia
400
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2018)
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza IRLML2803TRPBF.
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2018)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto