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STK615N4F8AG
MOSFET, N-CH, 40V/672A, POWERLEADED 8X8 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTK615N4F8AG
No. Parte Newark29AM4655
Rango de ProductoSTripFET F8 Series
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280 En Inventario
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $5.840 |
| 10+ | $4.200 |
| 25+ | $3.900 |
| 50+ | $3.590 |
| 100+ | $3.350 |
| 250+ | $3.210 |
| 500+ | $3.140 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$5.84
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTK615N4F8AG
No. Parte Newark29AM4655
Rango de ProductoSTripFET F8 Series
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40V
Intensidad Drenador Continua Id672A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente480µohm
Diseño de TransistorPowerLeaded 8x8
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia390W
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoSTripFET F8 Series
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
672A
Diseño de Transistor
PowerLeaded 8x8
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
390W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
480µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
STripFET F8 Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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