6.9 MOSFETs Sencillos:
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Tipo de Canal
Transistor, Polaridad
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
Intensidad Drenador Continua Id
Resistencia de Activación Rds(on)
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
Diseño de Transistor
Montaje de Transistor
Voltaje de Prueba Rds(on)
Disipación de Potencia Pd
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
Disipación de Potencia
No. de Pines
Temperatura de Trabajo Máx.
Calificación
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| Comparar | Precio para | Quantity | |||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DIODES INC. | Cada (Empaquetado en Cinta Cortada) Cinta adhesiva | 1+ $2.480 10+ $1.690 25+ $1.530 50+ $1.380 | N Channel | Canal N | 60 | 6.9 | 0.045ohm | 0.04 | SOT-223 | Surface Mount | 10 | 3.9W | 3 | 3.9 | 4Pines | 150 | - | - | |||||
Cada (Empaquetado en Cinta Cortada) Cinta adhesiva | 1+ $0.814 10+ $0.507 25+ $0.447 50+ $0.387 100+ $0.328 Más precios… | Canal P | - | 40 | 6.9 | - | 0.058 | TSOP | Montaje Superficial | 10 | - | 2.5 | 5 | 6Pines | 175 | AEC-Q101 | TrenchFET Series | ||||||

