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PXP3R7-12QUJ
MOSFET de Potencia, Canal P, 12 V, 18.7 A, 0.0032 ohm, MLPAK33, Montaje Superficial
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FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePXP3R7-12QUJCopiar
No. Parte Newark85AJ4191
Rango de ProductoTrench Series
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.940 |
| 10+ | $1.920 |
| 25+ | $1.730 |
| 50+ | $1.530 |
| 100+ | $1.340 |
| 250+ | $1.210 |
| 500+ | $1.090 |
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePXP3R7-12QUJCopiar
No. Parte Newark85AJ4191
Rango de ProductoTrench Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds12
Intensidad Drenador Continua Id18.7
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente3200µohm
Diseño de TransistorMLPAK33
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente700
Disipación de Potencia1.8
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoTrench Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
12
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
MLPAK33
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5
Disipación de Potencia
1.8
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
Trench Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
18.7
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
3200µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
700
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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