Imprimir página
IRF1405PBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 55 V, 169 A, 0.0053 ohm, TO-220AB, Agujero Pasante
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF1405PBF
No. Parte Newark63J7195
También conocido comoSP001574466
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
382 En Inventario
358 Puede reservar stock ahora
90 Entrega en 1-3 días hábiles(US inventario)
292 Entrega en 2-4 días hábiles(UK inventario)
Pedido antes de las 9 p.m. EST envío estándar
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $3.53 |
| 10+ | $1.65 |
| 100+ | $1.60 |
| 500+ | $1.39 |
| 1000+ | $1.39 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$3.53
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF1405PBF
No. Parte Newark63J7195
También conocido comoSP001574466
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds55
Intensidad Drenador Continua Id169
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0053
Resistencia de Activación Rds(on)0.0053ohm
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorThrough Hole
Disipación de Potencia Pd200W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia200
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El IRF1405PBF es un MOSFET de potencia HEXFET® de canal N de 55V con una resistencia de encendido extremadamente baja por área de silicio y un rendimiento de conmutación rápido que utiliza tecnología plana avanzada. Adecuado para aplicaciones de sistema de frenos antibloqueo, dirección asistida eléctrica, control de limpiaparabrisas y control de clima.
- Temperatura de funcionamiento de 175°C
- Avalancha repetitiva permitida hasta Tjmax
- Clasificación dv/dt dinámica
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
55
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0053
Diseño de Transistor
TO-220AB
Disipación de Potencia Pd
200W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
169
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0053ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
200
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Productos relacionados
5 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto