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SI4835DDY-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal P, 30 V, 13 A, 0.018 ohm, SOIC, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI4835DDY-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante29 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)23T8517RL
Cinta adhesiva23T8517
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| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.660 | $1.66 |
| Total Precio | $1.66 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.660 |
| 50+ | $1.050 |
| 100+ | $0.711 |
| 250+ | $0.637 |
| 500+ | $0.563 |
| 1000+ | $0.515 |
| 2500+ | $0.462 |
| 5000+ | $0.459 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI4835DDY-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante29 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)23T8517RL
Cinta adhesiva23T8517
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id13
Resistencia de Activación Rds(on)0.014ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.018
Diseño de TransistorSOIC
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia Pd5.6W
Disipación de Potencia5.6
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Resumen del producto
- MOSFET canal P 30V (D-S)
- TrenchFET® power MOSFET
- 100% probados Rg y UIS
- Aplicable para interruptores de carga, PC portátiles y PC de escritorio.
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia de Activación Rds(on)
0.014ohm
Diseño de Transistor
SOIC
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia Pd
5.6W
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
13
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.018
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
Disipación de Potencia
5.6
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza SI4835DDY-T1-GE3
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
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