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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 9000+ | $0.094 |
| 18000+ | $0.092 |
| 36000+ | $0.091 |
| 72000+ | $0.090 |
| 100000000+ | $0.089 |
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Mínimo: 9000
Múltiple: 9000
$846.00
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTE4151PT1G.Copiar
No. Parte Newark28AC0218
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20
Intensidad Drenador Continua Id760
Resistencia de Activación Rds(on)0.26ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.26
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd313mW
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Diseño de TransistorSC-89
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.2
Disipación de Potencia313
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20
Resistencia de Activación Rds(on)
0.26ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.2
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
760
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.26
Disipación de Potencia Pd
313mW
Diseño de Transistor
SC-89
Disipación de Potencia
313
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza NTE4151PT1G.
1 producto (s) encontrado (s)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
