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2N7002PV,115
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 350 mA, 1 ohm, SOT-666, Montaje Superficial
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FabricanteNEXPERIA
No. Parte Fabricante2N7002PV,115Copiar
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Re-reeling (Rollos a medida)59T0226RL
Cinta adhesiva59T0226
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| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $0.373 | $1.86 |
| Total Precio | $1.86 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 5+ | $0.373 |
| 15+ | $0.239 |
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte Fabricante2N7002PV,115Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante9 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)59T0226RL
Cinta adhesiva59T0226
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id350
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1
Resistencia de Activación Rds(on)1ohm
Diseño de TransistorSOT-666
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd500mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.75
Disipación de Potencia500
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El 2N7002PV es un MOSFET de modo de mejora de canal N en un paquete de plástico de montaje en superficie ultrapequeño sin cables que utiliza la tecnología Trench MOSFET. Es adecuado para su uso en controladores de relevador, controladores de línea de alta velocidad, interruptores de carga del lado bajo y circuitos de conmutación.
- Nivel lógico compatible
- Conmutación muy rápida
- Calificado AEC-Q101
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
350
Resistencia de Activación Rds(on)
1ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
500mW
Disipación de Potencia
500
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1
Diseño de Transistor
SOT-666
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.75
No. de Pines
6Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (4)
Productos relacionados
4 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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