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SI4925DDY-T1-GE3
MOSFET Dual, Canal P, 30 V, 8 A
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI4925DDY-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante27 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)05W6952RL
Cinta adhesiva05W6952
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| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.740 | $1.74 |
| Total Precio | $1.74 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.740 |
| 50+ | $1.160 |
| 100+ | $0.811 |
| 250+ | $0.758 |
| 500+ | $0.626 |
| 1000+ | $0.584 |
| 2500+ | $0.537 |
| 5000+ | $0.494 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI4925DDY-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante27 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)05W6952RL
Cinta adhesiva05W6952
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N-
Intensidad Drenador Continua Id8A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P30
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P8
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.024
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N-
Disipación de Potencia de Canal P5
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (19-Jan-2021)
Resumen del producto
The SI4925DDY-T1-GE3 is a -30V Dual P-channel TrenchFET® Power MOSFET. Suitable for load switches, notebook PCs, desktop PCs and game station applications. The surface-mounted LITTLE FOOT® power MOSFET uses integrated circuit and small-signal packages which have been modified to provide the heat transfer capabilities required by power devices.
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
- 100% UIS Tested
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
8A
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
30
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
8
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.024
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
5
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
-
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
-
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (19-Jan-2021)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza SI4925DDY-T1-GE3
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (19-Jan-2021)
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Certificado de conformidad del producto