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MOSFETs Dobles :
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Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
=0.027
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Intensidad Drenador Continua Id
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Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
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Diseño de Transistor
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Embalaje
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| Comparar | No. De parte del fabricante | Código de Orden | Fabricante / Descripción | Disponibilidad | Precio para | Precio | Quantity | Tipo de Canal | Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N | Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | Intensidad Drenador Continua Id | Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P | Corriente de Drenaje Continua Id Canal N | Corriente de Drenaje Continua Id Canal P | Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente | Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente | Diseño de Transistor | No. de Pines | Disipación de Potencia de Canal N | Disipación de Potencia de Canal P | Temperatura de Trabajo Máx. | Rango de Producto |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Cada (Empaquetado en Cinta Cortada) Cinta adhesiva | 1+$0.447 10+$0.351 25+$0.297 50+$0.254 100+$0.218 | Canal complementario N y P | 20 | 0 | 0 | 20 | 3.7 | 3.7 | 0.027 | 0.027 | TSOT-26 | 6Pines | 1.13 | 1.13 | 150 | - | ||||||
Cada (Empaquetado en Cinta Cortada) Cinta adhesiva | 1+$0.621 10+$0.518 25+$0.466 50+$0.421 100+$0.369 Más precios… | Complementary N and P Channel | 30 | 30V | 6.8A | 30 | 6.8 | 6.8 | 0.027 | 0.022 | SOIC | 8Pines | 2 | 2 | 150 | HEXFET Series | ||||||
