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NVMFD5C668NLT1G
MOSFET, DOBLE CANAL N, 60V, 68A, DFN
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNVMFD5C668NLT1GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante17 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)62AC7372RL
Cinta adhesiva62AC7372
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $4.360 | $4.36 |
| Total Precio | $4.36 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $4.360 |
| 10+ | $2.870 |
| 25+ | $2.590 |
| 50+ | $2.310 |
| 100+ | $2.030 |
| 250+ | $1.940 |
| 500+ | $1.840 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNVMFD5C668NLT1GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante17 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)62AC7372RL
Cinta adhesiva62AC7372
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N60V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N68A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P68A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.0065ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorDFN
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N57.5W
Disipación de Potencia de Canal P57.5W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
60V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
68A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
57.5W
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Intensidad Drenador Continua Id
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
68A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.0065ohm
Diseño de Transistor
DFN
Disipación de Potencia de Canal N
57.5W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidad del producto