MOSFETs Dobles | Newark Electrónica

Los precios mostrados incluyen impuestos y aranceles aplicables

No. De parte del fabricante	Código de Orden	Fabricante / Descripción	Precio para	Precio	Tipo de Canal	Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N	Voltaje de Drenaje-Fuente Vds	Intensidad Drenador Continua Id	Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P	Corriente de Drenaje Continua Id Canal N	Corriente de Drenaje Continua Id Canal P	Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente	Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente	Diseño de Transistor	No. de Pines	Disipación de Potencia de Canal N	Disipación de Potencia de Canal P	Temperatura de Trabajo Máx.	Calificación	Rango de Producto

SQJ560EP-T1_GE3	15AN1346 Data Sheet	VISHAY MOSFET Dual Canal complementario N y P 60 V 60 V 30 A 30 A 9900 µohm	Cada (Empaquetado en Cinta Cortada) Cinta adhesiva	3000+$0.806	Canal complementario N y P	60	-	-	60	30	30	9900	9900	PowerPAK SO	8Pines	34	34	175	AEC-Q101	TrenchFET Series
BUK9K29-100E,115	73AH9801 Data Sheet RoHS	NEXPERIA MOSFET Dual Canal N 100 V 100 V 30 A 30 A 0.0227 ohm	Cada (Empaquetado en Cinta Cortada) Cinta adhesiva	1+$2.000 50+$1.020 100+$0.857 250+$0.768 500+$0.679 Más precios…	N Channel	100	0	0	100	30	30	0.0227	0.0227	LFPAK56D	8Pines	68	68	175	AEC-Q101	TrenchMOS Series
SQJB80EP-T1_GE3	10AC9133 Data Sheet RoHS	VISHAY MOSFET Dual Canal N 80 V 80 V 30 A 30 A 0.019 ohm	Cada (Empaquetado en Cinta Cortada) Cinta adhesiva	1+$1.980 50+$0.949 100+$0.848 250+$0.760 500+$0.671 Más precios…	N Channel	80	80V	30A	80	30	30	0.019	0.0155	PowerPAK SO	8Pines	48	48	175	AEC-Q101	TrenchFET Series
SQUN702E-T1_GE3	10AH1124 Data Sheet RoHS	VISHAY MOSFET Dual Canal complementario N y P canal N 200 V 200 V 30 A 30 A 0.0077 ohm	Cada (Empaquetado en Cinta Cortada) Cinta adhesiva	1+$3.510 50+$3.070 100+$2.540 250+$2.280 500+$2.110 Más precios…	Complementary N and P Channel, N Channel	200	200V	30A	200	30	30	7700µohm	7700µohm	-	10Pines	60	60	175	AEC-Q101	TrenchFET Series