Módulos MOSFET :
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Resistencia de Activación Rds(on)
=0.0075ohm
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Transistor, Polaridad
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Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
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Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
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| Comparar | No. De parte del fabricante | Código de Orden | Fabricante / Descripción | Disponibilidad | Precio para | Precio | Quantity | Transistor, Polaridad | Tipo de Canal | Intensidad Drenador Continua Id | Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | Resistencia de Activación Rds(on) | Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente | Voltaje de Prueba Rds(on) | Diseño de Transistor | Montaje de Transistor | Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente | Disipación de Potencia | Disipación de Potencia Pd | Temperatura de Trabajo Máx. | No. de Pines | Rango de Producto |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS SEMICONDUCTOR | Cada | 1+$34.580 5+$30.030 10+$25.480 25+$23.540 50+$21.600 Más precios… | - | N Channel | 200A | 100V | 0.0075ohm | 7500µohm | 15V | ISOTOP | Módulo | 5V | 680W | 680W | 175°C | 4Pines | Polar(TM) HiPerFET | |||||
Cada | 300+$28.530 600+$27.960 900+$27.390 1500+$26.820 3000+$26.250 Más precios… | Canal N | Canal N | 220A | 200V | 0.0075ohm | 0.0075ohm | 10V | - | - | 5V | 1.09kW | 1.09kW | 175°C | - | GigaMOS Series | ||||||

