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MMBFJ309LT1G
Transistor JFET, Efecto de Campo de Unión, -25 V, 30 mA, -4 V, SOT-23, 3 Pines, 150 °C
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMMBFJ309LT1G
No. Parte Newark
Hilado completo86AK1664
Re-reeling (Rollos a medida)45J1519
Cinta adhesiva45J1519
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
5,272 En Inventario
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2272 Entrega en 1-3 días hábiles(US inventario)
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Opciones de embalaje
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.254 |
| 25+ | $0.166 |
| 50+ | $0.154 |
| 100+ | $0.141 |
| 250+ | $0.137 |
| 500+ | $0.132 |
| 1000+ | $0.128 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.125 |
| 6000+ | $0.124 |
| 12000+ | $0.122 |
| 18000+ | $0.121 |
| 30000+ | $0.119 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMMBFJ309LT1G
No. Parte Newark
Hilado completo86AK1664
Re-reeling (Rollos a medida)45J1519
Cinta adhesiva45J1519
Hoja de datos técnicos
Voltaje de Ruptura Vbr-25V
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente-25V
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula12mA
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero30mA
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta-4V
Diseño de TransistorSOT-23
Tipo de TransistorJFET
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Tipo de CanalCanal N
No. de Pines3 Pines
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El MMBFJ309LT1G es un JFET de canal N diseñado para amplificadores y osciladores de alta frecuencia. El dispositivo ofrece drenaje y fuente intercambiables, paquete de montaje en superficie que ahorra espacio. El bajo RDS (ENCENDIDO) proporciona una mayor eficiencia y extiende la vida útil de la batería.
- Voltaje de fuente de drenaje de 25VCD
- Voltaje de fuente-compuerta de 25VCD
- Corriente de compuerta de 10mA
Especificaciones técnicas
Voltaje de Ruptura Vbr
-25V
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula
12mA
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta
-4V
Tipo de Transistor
JFET
Tipo de Canal
Canal N
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente
-25V
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero
30mA
Diseño de Transistor
SOT-23
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
No. de Pines
3 Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza MMBFJ309LT1G
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto