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RF3L05150CB4
FET RF, 90V, 150W, LBB
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
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No. Parte Newark31AJ7098
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $212.500 |
| 10+ | $181.100 |
| 25+ | $180.200 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
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No. Parte Newark31AJ7098
Hoja de datos técnicos
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds90V
Intensidad Drenador Continua Id-
Disipación de Potencia150W
Frecuencia de Funcionamiento Mín.-
Disipación de Potencia Pd0
Frecuencia de Funcionamiento Máx.1GHz
Diseño de TransistorLBB
Encapsulado de Transistor RF0
No. de Pines5Pines
Temperatura de Trabajo Máx.200°C
Tipo de CanalN Channel
Montaje de TransistorFlange
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
90V
Disipación de Potencia
150W
Disipación de Potencia Pd
0
Diseño de Transistor
LBB
No. de Pines
5Pines
Tipo de Canal
N Channel
Rango de Producto
-
Intensidad Drenador Continua Id
-
Frecuencia de Funcionamiento Mín.
-
Frecuencia de Funcionamiento Máx.
1GHz
Encapsulado de Transistor RF
0
Temperatura de Trabajo Máx.
200°C
Montaje de Transistor
Flange
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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