FETs RF :
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Fabricante
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Temperatura de Trabajo Máx.
=200
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Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
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Diseño de Transistor
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Encapsulado de Transistor RF
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Embalaje
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| Comparar | No. De parte del fabricante | Código de Orden | Fabricante / Descripción | Disponibilidad | Precio para | Precio | Quantity | Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | Intensidad Drenador Continua Id | Disipación de Potencia | Disipación de Potencia Pd | Frecuencia de Funcionamiento Mín. | Frecuencia de Funcionamiento Máx. | Diseño de Transistor | No. de Pines | Encapsulado de Transistor RF | Temperatura de Trabajo Máx. | Tipo de Canal | Montaje de Transistor |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Cada (Empaquetado en Cinta Cortada) Cinta adhesiva | 1+$192.230 50+$161.990 100+$158.750 250+$155.510 500+$152.270 Más precios… | 95 | - | 120 | - | - | 1.5 | LBB | 5Pines | - | 200 | - | Surface Mount | ||||||
Cada | 1+$198.610 5+$179.780 10+$160.940 25+$157.720 | 125 | 40 | 500 | 0 | 175 | 230 | M244 | 3Pines | 0 | 200 | N Channel | Flange | ||||||
Cada | El precio no está disponible. Contacte con Servicio al cliente. | 40 | 6 | 35 | 35W | 400 | 520 | TO-272 | 6Pines | TO-272 | 200 | Canal N | Brida | ||||||


