14.2 FETs de Nitruro de Galio (GaN) | Newark Electrónica

Encuentre una amplia gama de 14.2 FETs de Nitruro de Galio (GaN) en Newark Electrónica. Disponemos de una amplia gama de FETs de Nitruro de Galio (GaN), como 29, 31, 13 & 15 FETs de Nitruro de Galio (GaN) de los principales fabricantes del mundo, incluidos: Renesas.

Filtros aplicados

Intensidad Drenador Continua Id

:

14.2

Los precios mostrados incluyen impuestos y aranceles aplicables

1 Filtros seleccionados

Comparar					Precio para		Quantity

	TP70H150G4LSGB-TR	26AM1883 Data Sheet RoHS	RENESAS Transistor de nitruro de galio (GaN) 700 V 14.2 A 0.18 ohm 5.5 nC QFN Montaje Superficial		Cada (Empaquetado en Cinta Cortada) Cinta adhesiva	1+ $4.69 10+ $4.13 25+ $3.80 50+ $3.42 100+ $2.98 Más precios…	Total:$4.69 Mín.: 1 / Múlt.: 1	700	14.2	0.18	5.5	QFN	Montaje Superficial	8Pines	SuperGaN Series
	TP70H150G4LSG-TR	26AM1882 Data Sheet RoHS	RENESAS Transistor de nitruro de galio (GaN) 700 V 14.2 A 0.18 ohm 11.3 nC QFN Montaje Superficial		Cada (Empaquetado en Cinta Cortada) Cinta adhesiva	1+ $4.73 10+ $4.17 25+ $3.82 50+ $3.46 100+ $3.00 Más precios…	Total:$4.73 Mín.: 1 / Múlt.: 1	700	14.2	0.18	11.3	QFN	Montaje Superficial	3Pines	SuperGaN Series

Artículos por página:

1-2 de 2 artículos

de 1 páginas

Popular Suppliers

NEXPERIA

ONSEMI

VISHAY

STMICROELECTRONICS

MULTICOMP PRO

INFINEON

NXP

ROHM

Nuevos Semiconductores - Discretos

MAT14ARZ Bipolar Transistor Array

Arreglo de transistores bipolares MAT14ARZ

ANALOG DEVICES

TK095N65Z5 650V N-channel power MOSFETs

TK095N65Z5 MOSFET de potencia de canal N de 650 V

TOSHIBA

600V Gallium Nitride Transistor

Transistor de nitruro de galio (GaN) de 600 V

INFINEON

600 V, 30 A Trench field-stop IGBT

IGBT con tecnología Trench Field-Stop de 600 V y 30 A con diodo de silicio de clasificación nominal total

NEXPERIA

XPT series IGBT Thin-wafer Technolog

Tecnología de oblea delgada IGBT para aplicaciones de conmutación dura sin amortiguador serie XPT.

LITTELFUSE

MPS Series SiC Schottky Diodes

GENESIC SEMICONDUCTOR

Diodos Schottky de SiC serie MPS: de 650 V a 1.7 KV

GENESIC SEMICONDUCTOR

N-Channel Power MOSFET

MOSFET de potencia de canal N

INFINEON

650 V, Gallium Nitride (GaN) FET

650 V, FET de nitruro de galio (GaN)

NEXPERIA

H-Bridge in APM16 Series

Puente en H de la serie APM16 para convertidores CC-CC LLC y desfasados

ONSEMI

Silicon-carbide (SiC) N-Channel Power MOSFET

MOSFET de potencia de carburo de silicio (SiC) de canal N

MICROCHIP

SIC Mosfet Module, 900V, 149A

Módulo MOSFET de SIC, 900 V, 149 A

ONSEMI

onsemi EliteSiC

EliteSiC de onsemi de 650 V a 1700 V, ahora en existencias

ONSEMI

High Speed Trr Series

PrestoMOS™ de bajo ruido - Serie Trr de alta velocidad

ROHM

IGBT 650V Field Stop Trench Technology

Tecnología de trinchera de parada de campo IGBT de 650 V

ONSEMI

Automotive-grade N-channel 650V Power Mosfet

STMICROELECTRONICS

Mosfet de potencia de 650 V de canal N de grado automotriz - Encapsulado ACEPACK SMIT

STMICROELECTRONICS