HB2 Transistores IGBT Sencillos | Newark Electrónica

Aviso Importante:

Debido a mejoras recientes en nuestros sistemas, los tiempos de procesamiento pueden ser mayores. Agradecemos su comprensión y confianza.

Los precios mostrados incluyen impuestos y aranceles aplicables

Comparar	No. De parte del fabricante	Código de Orden	Fabricante / Descripción	Disponibilidad	Precio para	Precio	Quantity	Corriente del Colector Continua	Voltaje de Saturación Colector Emisor	Disipación de Potencia	Voltaje Máx. Colector a Emisor	Diseño de Transistor	No. de Pines	Temperatura de Trabajo Máx.	Montaje de Transistor	Rango de Producto

	STGWA50HP65FB2	82AH9145 Data Sheet RoHS	STMICROELECTRONICS IGBT 86 A 1.55 V 272 W 650 V TO-247LL 3 Pines		Cada	1+$3.810 10+$3.320 25+$2.820 50+$2.330 100+$2.170 Más precios…		86	1.55	272	650	TO-247LL	3Pines	175	Through Hole	HB2
	STGWA30H65DFB2	82AH9144 Data Sheet RoHS	STMICROELECTRONICS IGBT 50 A 1.65 V 167 W 650 V TO-247LL 3 Pines		Cada	1+$4.840 10+$3.410 25+$3.160 50+$2.900 100+$2.650 Más precios…		50	1.65	167	650	TO-247LL	3Pines	175	Through Hole	HB2
	STGWA40HP65FB2	94AC2244 Data Sheet RoHS	STMICROELECTRONICS IGBT 72 A 1.55 V 227 W 650 V TO-247 3 Pines		Cada	1+$4.620 10+$2.910 25+$2.780 50+$2.650 100+$2.510 Más precios…		72	1.55	227	650	TO-247	3Pines	175	Through Hole	HB2
	STGW100H65FB2-4	91AH9105 Data Sheet RoHS	STMICROELECTRONICS IGBT 650V 145A TO-247		Cada	1+$11.410 10+$7.920 25+$7.610 50+$7.310 100+$7.000 Más precios…		145A	1.55	441W	650	TO-247	4Pines	175	Through Hole	HB2
	STGB30H65DFB2	82AH9138 Data Sheet RoHS	STMICROELECTRONICS IGBT 50 A 1.65 V 167 W 650 V TO-263 (D2PAK) 3 Pines		Cada (Empaquetado en Cinta Cortada) Cinta adhesiva	1+$3.360 50+$2.320 100+$1.720 250+$1.600 500+$1.470 Más precios…		50	1.65	167	650	TO-263 (D2PAK)	3Pines	175	Surface Mount	HB2
	STGWA75H65DFB2	82AH9146 Data Sheet RoHS	STMICROELECTRONICS IGBT 115 A 1.55 V 357 W 650 V TO-247LL 3 Pines		Cada	1+$6.420 10+$5.620 25+$4.810 50+$4.010 100+$3.750 Más precios…		115	1.55	357	650	TO-247LL	3Pines	175	Through Hole	HB2
	STGW50H65DFB2-4	89AH1342 Data Sheet RoHS Fecha y lote	STMICROELECTRONICS IGBT 86 A 1.55 V 272 W 650 V TO-247 4 Pines		Cada	1+$6.680 10+$5.860 25+$5.040 50+$4.220 100+$3.950 Más precios…		86	1.55	272	650	TO-247	4Pines	175	Through Hole	HB2
	STGWA20HP65FB2	82AH9143 Data Sheet RoHS	STMICROELECTRONICS IGBT 40 A 1.65 V 147 W 650 V TO-247LL 3 Pines		Cada	1+$3.860 10+$3.100 100+$2.330 500+$1.990 1000+$1.740 Más precios…		40	1.65	147	650	TO-247LL	3Pines	175	Through Hole	HB2
	STGW75H65DFB2-4	91AH9106 Data Sheet RoHS	STMICROELECTRONICS IGBT 115 A 1.55 V 357 W 650 V TO-247 4 Pines		Cada	1+$10.640 10+$9.420 25+$8.210 50+$6.990 100+$6.590 Más precios…		115	1.55	357	650	TO-247	4Pines	175	Through Hole	HB2
	STGWA100H65DFB2	89AH1340 RoHS	STMICROELECTRONICS IGBT 145 A 1.55 V 441 W 650 V TO-247 3 Pines		Cada	El precio no está disponible. Contacte con Servicio al cliente.		145A	1.55	441W	650	TO-247	3Pines	175	Through Hole	HB2
	STGF30H65DFB2	82AH9141 RoHS Fecha y lote	STMICROELECTRONICS IGBT 50 A 1.65 V 50 W 650 V TO-220FP 3 Pines		Cada	El precio no está disponible. Contacte con Servicio al cliente.		50	1.65	50	650	TO-220FP	3Pines	175	Through Hole	HB2
	STGP20H65DFB2	82AH9142 RoHS Fecha y lote	STMICROELECTRONICS IGBT 40 A 1.65 V 147 W 650 V TO-220 3 Pines		Cada	El precio no está disponible. Contacte con Servicio al cliente.		40	1.65	147	650	TO-220	3Pines	175	Through Hole	HB2
	STGWA20H65DFB2	89AH1341 RoHS Fecha y lote	STMICROELECTRONICS IGBT 40 A 1.65 V 147 W 650 V TO-247 3 Pines		Cada	El precio no está disponible. Contacte con Servicio al cliente.		40	1.65	147	650	TO-247	3Pines	175	Through Hole	HB2

Artículos por página:

1-13 de 13 artículos

de 1 páginas

Popular Suppliers

NEXPERIA

ONSEMI

VISHAY

STMICROELECTRONICS

MULTICOMP PRO

INFINEON

NXP

ROHM

Nuevos Semiconductores - Discretos

MAT14ARZ Bipolar Transistor Array

Arreglo de transistores bipolares MAT14ARZ

ANALOG DEVICES

TK095N65Z5 650V N-channel power MOSFETs

TK095N65Z5 MOSFET de potencia de canal N de 650 V

TOSHIBA

600V Gallium Nitride Transistor

Transistor de nitruro de galio (GaN) de 600 V

INFINEON

600 V, 30 A Trench field-stop IGBT

IGBT con tecnología Trench Field-Stop de 600 V y 30 A con diodo de silicio de clasificación nominal total

NEXPERIA

XPT series IGBT Thin-wafer Technolog

Tecnología de oblea delgada IGBT para aplicaciones de conmutación dura sin amortiguador serie XPT.

LITTELFUSE

MPS Series SiC Schottky Diodes

GENESIC SEMICONDUCTOR

Diodos Schottky de SiC serie MPS: de 650 V a 1.7 KV

GENESIC SEMICONDUCTOR

N-Channel Power MOSFET

MOSFET de potencia de canal N

INFINEON

650 V, Gallium Nitride (GaN) FET

650 V, FET de nitruro de galio (GaN)

NEXPERIA

H-Bridge in APM16 Series

Puente en H de la serie APM16 para convertidores CC-CC LLC y desfasados

ONSEMI

Silicon-carbide (SiC) N-Channel Power MOSFET

MOSFET de potencia de carburo de silicio (SiC) de canal N

MICROCHIP

SIC Mosfet Module, 900V, 149A

Módulo MOSFET de SIC, 900 V, 149 A

ONSEMI

onsemi EliteSiC

EliteSiC de onsemi de 650 V a 1700 V, ahora en existencias

ONSEMI

High Speed Trr Series

PrestoMOS™ de bajo ruido - Serie Trr de alta velocidad

ROHM

IGBT 650V Field Stop Trench Technology

Tecnología de trinchera de parada de campo IGBT de 650 V

ONSEMI

Automotive-grade N-channel 650V Power Mosfet

STMICROELECTRONICS

Mosfet de potencia de 650 V de canal N de grado automotriz - Encapsulado ACEPACK SMIT

STMICROELECTRONICS