577 Transistores IGBT Sencillos | Newark Electrónica

Encuentre una amplia gama de 577 Transistores IGBT Sencillos en Newark Electrónica. Disponemos de una amplia gama de Transistores IGBT Sencillos, como 250, 375, 395 & 188 Transistores IGBT Sencillos de los principales fabricantes del mundo, incluidos: Infineon.

Filtros aplicados

Disipación de Potencia

:

577

Los precios mostrados incluyen impuestos y aranceles aplicables

1 Filtros seleccionados

Comparar					Precio para		Quantity

	AIKYX120N75CP2ALSA1	22AM1313 RoHS	INFINEON IGBT 150 A 1.35 V 577 W 750 V TO-247 Plus 4 Pines		Cada	1+ $11.060 10+ $7.340 25+ $7.060 50+ $6.780 100+ $6.500		150	1.35	577	750	TO-247 Plus	4Pines	175	Through Hole	Duo Pack EDT2 Series
	AIKQB120N75CP2ALSA1	24AM0373 RoHS	INFINEON IGBT 150 A 1.3 V 577 W 750 V TO-247 Plus 3 Pines		Cada	1+ $10.050 10+ $8.710 25+ $7.370 50+ $6.030 100+ $5.590 Más precios…		150	1.3	577	750	TO-247 Plus	3Pines	175	Through Hole	-
	IKQB120N75CP2AKSA1	75AK9948 Data Sheet RoHS	INFINEON IGBT 150 A 1.4 V 577 W 750 V TO-247 3 Pines		Cada	1+ $8.580 10+ $5.720 25+ $5.640 50+ $5.560 100+ $5.490 Más precios…		150	1.4	577	750	TO-247	3Pines	175	Agujero Pasante	-

Artículos por página:

1-3 de 3 artículos

de 1 páginas

Popular Suppliers

NEXPERIA

ONSEMI

VISHAY

STMICROELECTRONICS

MULTICOMP PRO

INFINEON

NXP

ROHM

Nuevos Semiconductores - Discretos

MAT14ARZ Bipolar Transistor Array

Arreglo de transistores bipolares MAT14ARZ

ANALOG DEVICES

TK095N65Z5 650V N-channel power MOSFETs

TK095N65Z5 MOSFET de potencia de canal N de 650 V

TOSHIBA

600V Gallium Nitride Transistor

Transistor de nitruro de galio (GaN) de 600 V

INFINEON

600 V, 30 A Trench field-stop IGBT

IGBT con tecnología Trench Field-Stop de 600 V y 30 A con diodo de silicio de clasificación nominal total

NEXPERIA

XPT series IGBT Thin-wafer Technolog

Tecnología de oblea delgada IGBT para aplicaciones de conmutación dura sin amortiguador serie XPT.

LITTELFUSE

MPS Series SiC Schottky Diodes

GENESIC SEMICONDUCTOR

Diodos Schottky de SiC serie MPS: de 650 V a 1.7 KV

GENESIC SEMICONDUCTOR

N-Channel Power MOSFET

MOSFET de potencia de canal N

INFINEON

650 V, Gallium Nitride (GaN) FET

650 V, FET de nitruro de galio (GaN)

NEXPERIA

H-Bridge in APM16 Series

Puente en H de la serie APM16 para convertidores CC-CC LLC y desfasados

ONSEMI

Silicon-carbide (SiC) N-Channel Power MOSFET

MOSFET de potencia de carburo de silicio (SiC) de canal N

MICROCHIP

SIC Mosfet Module, 900V, 149A

Módulo MOSFET de SIC, 900 V, 149 A

ONSEMI

onsemi EliteSiC

EliteSiC de onsemi de 650 V a 1700 V, ahora en existencias

ONSEMI

High Speed Trr Series

PrestoMOS™ de bajo ruido - Serie Trr de alta velocidad

ROHM

IGBT 650V Field Stop Trench Technology

Tecnología de trinchera de parada de campo IGBT de 650 V

ONSEMI

Automotive-grade N-channel 650V Power Mosfet

STMICROELECTRONICS

Mosfet de potencia de 650 V de canal N de grado automotriz - Encapsulado ACEPACK SMIT

STMICROELECTRONICS