500 Transistores IGBT Sencillos | Newark Electrónica

Encuentre una amplia gama de 500 Transistores IGBT Sencillos en Newark Electrónica. Disponemos de una amplia gama de Transistores IGBT Sencillos, como 250, 375, 375W & 188 Transistores IGBT Sencillos de los principales fabricantes del mundo, incluidos: Infineon & Littelfuse.

Filtros aplicados

Disipación de Potencia

:

500

Los precios mostrados incluyen impuestos y aranceles aplicables

1 Filtros seleccionados

Comparar					Precio para		Quantity

	IKY40N120CS6XKSA1	93AC7075 Data Sheet RoHS	INFINEON IGBT 80 A 1.85 V 500 W 1.2 kV TO-247 4 Pines		Cada	1+ $7.650 10+ $5.190 25+ $4.980 50+ $4.780 100+ $4.570 Más precios…	Mín.: 1 / Múlt.: 1	80	1.85	500	1.2	TO-247	4Pines	175	Agujero Pasante	TRENCHSTOP IGBT6 Series
	IKW40N120CS6XKSA1	93AC7073 Data Sheet RoHS	INFINEON IGBT 80 A 1.85 V 500 W 1.2 kV TO-247 3 Pines		Cada	1+ $7.030 10+ $4.660 25+ $4.510 50+ $4.350 100+ $4.200 Más precios…	Mín.: 1 / Múlt.: 1	80	1.85	500	1.2	TO-247	3Pines	175	Agujero Pasante	TRENCHSTOP Series
	IKY40N120CH3XKSA1	93AC7074 Data Sheet RoHS Fecha y lote	INFINEON IGBT 80 A 2 V 500 W 1.2 kV TO-247 4 Pines		Cada	1+ $9.380 10+ $6.190 25+ $5.950 50+ $5.720 100+ $5.480 Más precios…	Mín.: 1 / Múlt.: 1	80	2	500	1.2	TO-247	4Pines	175	Agujero Pasante	-
	IXBT42N300HV	29AK0379 Data Sheet RoHS	LITTELFUSE IGBT 104 A 2.5 V 500 W 3 kV TO-268HV 3 Pines		Cada	1+ $55.160 5+ $51.430 10+ $47.700 25+ $43.960 50+ $42.000	Mín.: 1 / Múlt.: 1	104	2.5	500	3	TO-268HV	3Pines	150	Surface Mount	BiMOSFET Series
	IXYH40N90C3D1	29AK0505 Data Sheet RoHS	LITTELFUSE IGBT 90 A 2.2 V 500 W 900 V TO-247AD 3 Pines		Cada	1+ $11.940 5+ $10.750 10+ $9.560 25+ $8.360 100+ $7.170 Más precios…	Mín.: 1 / Múlt.: 1	90	2.2	500	900	TO-247AD	3Pines	150	Through Hole	-

Artículos por página:

1-5 de 5 artículos

de 1 páginas

Popular Suppliers

NEXPERIA

ONSEMI

VISHAY

STMICROELECTRONICS

MULTICOMP PRO

INFINEON

NXP

ROHM

Nuevos Semiconductores - Discretos

MAT14ARZ Bipolar Transistor Array

Arreglo de transistores bipolares MAT14ARZ

ANALOG DEVICES

TK095N65Z5 650V N-channel power MOSFETs

TK095N65Z5 MOSFET de potencia de canal N de 650 V

TOSHIBA

600V Gallium Nitride Transistor

Transistor de nitruro de galio (GaN) de 600 V

INFINEON

600 V, 30 A Trench field-stop IGBT

IGBT con tecnología Trench Field-Stop de 600 V y 30 A con diodo de silicio de clasificación nominal total

NEXPERIA

XPT series IGBT Thin-wafer Technolog

Tecnología de oblea delgada IGBT para aplicaciones de conmutación dura sin amortiguador serie XPT.

LITTELFUSE

MPS Series SiC Schottky Diodes

GENESIC SEMICONDUCTOR

Diodos Schottky de SiC serie MPS: de 650 V a 1.7 KV

GENESIC SEMICONDUCTOR

N-Channel Power MOSFET

MOSFET de potencia de canal N

INFINEON

650 V, Gallium Nitride (GaN) FET

650 V, FET de nitruro de galio (GaN)

NEXPERIA

H-Bridge in APM16 Series

Puente en H de la serie APM16 para convertidores CC-CC LLC y desfasados

ONSEMI

Silicon-carbide (SiC) N-Channel Power MOSFET

MOSFET de potencia de carburo de silicio (SiC) de canal N

MICROCHIP

SIC Mosfet Module, 900V, 149A

Módulo MOSFET de SIC, 900 V, 149 A

ONSEMI

onsemi EliteSiC

EliteSiC de onsemi de 650 V a 1700 V, ahora en existencias

ONSEMI

High Speed Trr Series

PrestoMOS™ de bajo ruido - Serie Trr de alta velocidad

ROHM

IGBT 650V Field Stop Trench Technology

Tecnología de trinchera de parada de campo IGBT de 650 V

ONSEMI

Automotive-grade N-channel 650V Power Mosfet

STMICROELECTRONICS

Mosfet de potencia de 650 V de canal N de grado automotriz - Encapsulado ACEPACK SMIT

STMICROELECTRONICS