416 Transistores IGBT Sencillos | Newark Electrónica

Encuentre una amplia gama de 416 Transistores IGBT Sencillos en Newark Electrónica. Disponemos de una amplia gama de Transistores IGBT Sencillos, como 250, 375, 395 & 188 Transistores IGBT Sencillos de los principales fabricantes del mundo, incluidos: Infineon & Stmicroelectronics.

Filtros aplicados

Disipación de Potencia

:

416

Los precios mostrados incluyen impuestos y aranceles aplicables

1 Filtros seleccionados

Comparar					Precio para		Quantity

	IKW60N60H3FKSA1	32AK4927 Data Sheet RoHS	INFINEON IGBT 80 A 1.85 V 416 W 600 V TO-247 3 Pines		Cada	1+ $7.470 10+ $6.410 25+ $5.350 50+ $4.280 100+ $3.930 Más precios…		80	1.85	416	600	TO-247	3Pines	175	Agujero Pasante	TRENCHSTOP Series
	STGWA35IH135DF2	01AM0675 Data Sheet RoHS	STMICROELECTRONICS IGBT 70 A 1.7 V 416 W 1.35 kV TO-247 3 Pines		Cada	1+ $4.490 10+ $3.600 25+ $3.470 60+ $3.340 120+ $3.220 Más precios…		70	1.7	416	1.35	TO-247	3Pines	175	Through Hole	IH2 Series
	IGW60N60H3FKSA1	86AK9958 RoHS	INFINEON IGBT 80 A 1.85 V 416 W 600 V TO-247 3 Pines		Cada	1+ $7.310 10+ $6.410 25+ $5.510 50+ $4.610 100+ $4.320 Más precios…		80	1.85	416	600	TO-247	3Pines	175	Through Hole	TRENCHSTOP IGBT 3 Series

Artículos por página:

1-3 de 3 artículos

de 1 páginas

Popular Suppliers

NEXPERIA

ONSEMI

VISHAY

STMICROELECTRONICS

MULTICOMP PRO

INFINEON

NXP

ROHM

Nuevos Semiconductores - Discretos

MAT14ARZ Bipolar Transistor Array

Arreglo de transistores bipolares MAT14ARZ

ANALOG DEVICES

TK095N65Z5 650V N-channel power MOSFETs

TK095N65Z5 MOSFET de potencia de canal N de 650 V

TOSHIBA

600V Gallium Nitride Transistor

Transistor de nitruro de galio (GaN) de 600 V

INFINEON

600 V, 30 A Trench field-stop IGBT

IGBT con tecnología Trench Field-Stop de 600 V y 30 A con diodo de silicio de clasificación nominal total

NEXPERIA

XPT series IGBT Thin-wafer Technolog

Tecnología de oblea delgada IGBT para aplicaciones de conmutación dura sin amortiguador serie XPT.

LITTELFUSE

MPS Series SiC Schottky Diodes

GENESIC SEMICONDUCTOR

Diodos Schottky de SiC serie MPS: de 650 V a 1.7 KV

GENESIC SEMICONDUCTOR

N-Channel Power MOSFET

MOSFET de potencia de canal N

INFINEON

650 V, Gallium Nitride (GaN) FET

650 V, FET de nitruro de galio (GaN)

NEXPERIA

H-Bridge in APM16 Series

Puente en H de la serie APM16 para convertidores CC-CC LLC y desfasados

ONSEMI

Silicon-carbide (SiC) N-Channel Power MOSFET

MOSFET de potencia de carburo de silicio (SiC) de canal N

MICROCHIP

SIC Mosfet Module, 900V, 149A

Módulo MOSFET de SIC, 900 V, 149 A

ONSEMI

onsemi EliteSiC

EliteSiC de onsemi de 650 V a 1700 V, ahora en existencias

ONSEMI

High Speed Trr Series

PrestoMOS™ de bajo ruido - Serie Trr de alta velocidad

ROHM

IGBT 650V Field Stop Trench Technology

Tecnología de trinchera de parada de campo IGBT de 650 V

ONSEMI

Automotive-grade N-channel 650V Power Mosfet

STMICROELECTRONICS

Mosfet de potencia de 650 V de canal N de grado automotriz - Encapsulado ACEPACK SMIT

STMICROELECTRONICS