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STGW30NC120HD
IGBT, 60 A, 2.75 V, 220 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pines
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTGW30NC120HD
No. Parte Newark94M9678
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|---|---|
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| 10+ | $3.760 |
| 25+ | $3.560 |
| 60+ | $3.370 |
| 120+ | $3.170 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTGW30NC120HD
No. Parte Newark94M9678
Hoja de datos técnicos
Corriente del Colector Continua60
Corriente de Colector DC60A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)2.75V
Voltaje de Saturación Colector Emisor2.75
Disipación de Potencia220
Disipación de Potencia Pd220W
Voltaje Máx. Colector a Emisor1.2
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo1.2kV
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Montaje de TransistorThrough Hole
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El STGW30NC120HD es un PowerMESH™ IGBT de canal N muy rápido para uso con calentamiento por inducción y aplicación de conmutación suave. Usando la última tecnología de alto voltaje basada en su diseño de tiras patentado, STMicroelectronics ha diseñado una familia avanzada de IGBT, con desempeños sobresalientes. El sufijo H identifica una familia optimizada para aplicaciones de alta frecuencia para lograr rendimientos de conmutación muy altos (caída reducida) manteniendo una baja caída de voltaje.
- Bajas pérdidas
- Baja caída de voltaje (Vcesat)
- Gran capacidad de corriente
- Alta impedancia de entrada (impulsada por voltaje)
- Baja carga de compuerta
Especificaciones técnicas
Corriente del Colector Continua
60
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
2.75V
Disipación de Potencia
220
Voltaje Máx. Colector a Emisor
1.2
Diseño de Transistor
TO-247
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Corriente de Colector DC
60A
Voltaje de Saturación Colector Emisor
2.75
Disipación de Potencia Pd
220W
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
1.2kV
No. de Pines
3Pines
Montaje de Transistor
Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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