IKW15N120H3FKSA1

El IKW15N120H3 es un IGBT de alta velocidad en tecnología de trinchera y parada de campo con diodo antiparalelo suave y de recuperación rápida. El dispositivo de alta velocidad se utiliza para reducir el tamaño de los componentes activos (25 a 70 kHz). La familia de alta velocidad 3 ofrece el mejor compromiso entre las pérdidas de conmutación y conducción. La característica clave de esta familia es un comportamiento de conmutación de apagado tipo MOSFET, que conduce a bajas pérdidas de apagado. Además, se puede lograr una mejora de eficiencia de hasta un 15% al implementar esta tecnología en su diseño.

• Diseñado específicamente para reemplazar MOSFET planas en aplicaciones que cambian a frecuencias inferiores a 70 kHz
• Pérdidas de conmutación bajas para alta eficiencia
• Comportamiento de cambio rápido con bajas emisiones de EMI
• Diodo optimizado para aplicaciones de destino, lo que significa una mejora adicional en las pérdidas de conmutación
• Es posible la selección de resistencia de puerta baja (hasta 5) manteniendo un excelente comportamiento de conmutación
• Capacidad de cortocircuito
• Excelente desempeño
• Pérdidas bajas de conmutación y conducción.
• Muy buen comportamiento EMI
• Pequeña resistencia de compuerta para un tiempo de retardo reducido y sobretensión de voltaje
• La mejor eficiencia IGBT de su clase y comportamiento EMI
• Empaquetado con y sin diodo de rueda libre para mayor libertad de diseño
• Producto verde
• Libre de halógenos