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HGTG12N60A4
IGBT, 54 A, 2.7 V, 167 W, 600 V, TO-247, 3 Pines
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteHGTG12N60A4
No. Parte Newark95B2565
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 65 semanas
Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteHGTG12N60A4
No. Parte Newark95B2565
Hoja de datos técnicos
Corriente de Colector DC54A
Corriente del Colector Continua54
Voltaje de Saturación Colector Emisor2.7
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)2V
Disipación de Potencia Pd167W
Disipación de Potencia167
Voltaje Máx. Colector a Emisor600
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo600V
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (15-Jan-2019)
Especificaciones técnicas
Corriente de Colector DC
54A
Voltaje de Saturación Colector Emisor
2.7
Disipación de Potencia Pd
167W
Voltaje Máx. Colector a Emisor
600
Diseño de Transistor
TO-247
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (15-Jan-2019)
Corriente del Colector Continua
54
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
2V
Disipación de Potencia
167
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
600V
No. de Pines
3Pines
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (15-Jan-2019)
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