62mm C Módulos IGBT | Newark Electrónica

Filtros aplicados

Rango de Producto

:

62mm C

Los precios mostrados incluyen impuestos y aranceles aplicables

1 Filtros seleccionados

Comparar					Precio para		Quantity

	FF400R12KE3HOSA1	13AC8654 Data Sheet RoHS	INFINEON Arreglo & Módulo Transistor IGBT Canal N 580 A 1.7 V 2 kW 1.2 kV Módulo		Cada	1+ $176.530 5+ $164.330 10+ $152.120		Dual [Half Bridge]	Canal N	580A	580	1.7	1.7V	2	2kW	125	125°C	1.2kV	Module	Tab	1.2	IGBT 3 [Trench/Field Stop]	Panel	62mm C
	FZ400R12KE4HOSA1	12AC9642 Data Sheet RoHS	INFINEON Arreglo & Módulo Transistor IGBT Canal N 400 A 1.75 V 2.4 kW 1.2 kV Módulo		Cada	1+ $103.930 5+ $101.880 10+ $99.830		Single Switch	Canal N	400A	400	1.75	1.75V	2.4	2.4kW	150	150°C	1.2kV	Module	Stud	1.2	IGBT 4 [Trench/Field Stop]	Panel	62mm C
	FF600R12KE4PBOSA1	91AH7524 Data Sheet RoHS Fecha y lote	INFINEON Módulo IGBT Doble 600 A 1.75 V 150 °C Module		Cada	1+ $165.160 5+ $159.760 16+ $154.380 32+ $148.980		Dual	-	600A	600	1.75	1.75V	-	-	150	150°C	1.2kV	Module	Stud	1.2	IGBT 4 [Trench/Field Stop]	Panel	62mm C
	FF400R06KE3HOSA1	13AC8653 Data Sheet RoHS	INFINEON Módulo IGBT Doble [medio puente] 500 A 1.45 V 1.25 kW 150 °C Module		Cada	1+ $200.340		Dual [Half Bridge]	Canal N	500A	500	1.45	1.45V	1.25	1.25kW	150	150°C	600V	Module	Tab	600	IGBT 3 [Trench/Field Stop]	Panel	62mm C
	FF200R17KE3HOSA1	13AC8641 Data Sheet RoHS	INFINEON Arreglo & Módulo Transistor IGBT Canal N 310 A 2 V 1.25 kW 1.7 kV Módulo		Cada	1+ $220.720		Dual [Half Bridge]	Canal N	310A	310	2	2V	1.25	1.25kW	125	125°C	1.7kV	Module	Tab	1.7	IGBT 3 [Trench/Field Stop]	Panel	62mm C
	FF300R06KE3HOSA1	13AC8645 Data Sheet RoHS Fecha y lote	INFINEON Módulo IGBT Doble 400 A 1.45 V 940 W 150 °C Module		Cada	1+ $169.770		Dual	Canal N	400A	400	1.45	1.45V	940	940W	150	150°C	600V	Module	Tab	600	IGBT 3 [Trench/Field Stop]	Panel	62mm C
	FF600R12KE4BOSA1	43AC3133 Data Sheet RoHS	INFINEON Arreglo & Módulo Transistor IGBT Fosa/Tope de campo Canal N 600 A 1.75 V 1.2 kV Módulo		Cada	1+ $184.770		Dual [Half Bridge]	Canal N	600A	600	1.75	1.75V	-	-	150	150°C	1.2kV	Module	Tab	1.2	IGBT 4 [Trench/Field Stop]	Panel	62mm C

Artículos por página:

1-7 de 7 artículos

de 1 páginas

Popular Suppliers

NEXPERIA

ONSEMI

VISHAY

STMICROELECTRONICS

MULTICOMP PRO

INFINEON

NXP

ROHM

Nuevos Semiconductores - Discretos

MAT14ARZ Bipolar Transistor Array

Arreglo de transistores bipolares MAT14ARZ

ANALOG DEVICES

TK095N65Z5 650V N-channel power MOSFETs

TK095N65Z5 MOSFET de potencia de canal N de 650 V

TOSHIBA

600V Gallium Nitride Transistor

Transistor de nitruro de galio (GaN) de 600 V

INFINEON

600 V, 30 A Trench field-stop IGBT

IGBT con tecnología Trench Field-Stop de 600 V y 30 A con diodo de silicio de clasificación nominal total

NEXPERIA

XPT series IGBT Thin-wafer Technolog

Tecnología de oblea delgada IGBT para aplicaciones de conmutación dura sin amortiguador serie XPT.

LITTELFUSE

MPS Series SiC Schottky Diodes

GENESIC SEMICONDUCTOR

Diodos Schottky de SiC serie MPS: de 650 V a 1.7 KV

GENESIC SEMICONDUCTOR

N-Channel Power MOSFET

MOSFET de potencia de canal N

INFINEON

650 V, Gallium Nitride (GaN) FET

650 V, FET de nitruro de galio (GaN)

NEXPERIA

H-Bridge in APM16 Series

Puente en H de la serie APM16 para convertidores CC-CC LLC y desfasados

ONSEMI

Silicon-carbide (SiC) N-Channel Power MOSFET

MOSFET de potencia de carburo de silicio (SiC) de canal N

MICROCHIP

SIC Mosfet Module, 900V, 149A

Módulo MOSFET de SIC, 900 V, 149 A

ONSEMI

onsemi EliteSiC

EliteSiC de onsemi de 650 V a 1700 V, ahora en existencias

ONSEMI

High Speed Trr Series

PrestoMOS™ de bajo ruido - Serie Trr de alta velocidad

ROHM

IGBT 650V Field Stop Trench Technology

Tecnología de trinchera de parada de campo IGBT de 650 V

ONSEMI

Automotive-grade N-channel 650V Power Mosfet

STMICROELECTRONICS

Mosfet de potencia de 650 V de canal N de grado automotriz - Encapsulado ACEPACK SMIT

STMICROELECTRONICS